IGBT測(cè)溫

華光天銳的熒光光纖測(cè)溫系統(tǒng)可以用在各種精密設(shè)備儀器上測(cè)溫，比如IGBT測(cè)溫，晶閘管測(cè)溫等，抗干擾，耐高壓。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ,絕緣柵雙極型晶體管，是由一種由BJT(雙極性三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，作為一種常見(jiàn)的電子器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用在各種電子設(shè)備上。由于溫度過(guò)高會(huì)影響IGBT模塊的性能，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致IGBT模塊損毀，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件，通過(guò)控制電路的開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

IGBT測(cè)溫裝置的必要性

交流電壓及頻率的改變，被廣泛用于交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。在IGBT工作工況中經(jīng)歷著長(zhǎng)時(shí)間的高電流、高電壓的快速切換，這種極端的工作條件會(huì)對(duì)IGBT器件產(chǎn)生過(guò)載電流、電壓和高溫等不利影響，降低器件工作壽命，甚至?xí)?dǎo)致器件發(fā)生爆炸。

IGBT模塊采用無(wú)源的光纖作為溫度傳感元件進(jìn)行IGBT本體內(nèi)發(fā)熱元件的溫度測(cè)量，測(cè)量不受電磁干擾影響，也不會(huì)出現(xiàn)高壓擊穿的情況。同時(shí)光纖對(duì)應(yīng)于各IGBT本體內(nèi)發(fā)熱元件的表面設(shè)置，可以直接測(cè)量IGBT本體內(nèi)發(fā)熱元件的表面溫度，測(cè)量結(jié)果最接近發(fā)熱元件的真實(shí)溫度，且能實(shí)時(shí)反映發(fā)熱元件真實(shí)溫度的變化。另外光纖在IGBT本體內(nèi)的布線簡(jiǎn)單方便，同時(shí)光纖實(shí)現(xiàn)了多個(gè)溫度監(jiān)測(cè)點(diǎn)，能夠有效實(shí)現(xiàn)對(duì)體積較小的IGBT本體內(nèi)各發(fā)熱元件同時(shí)進(jìn)行監(jiān)控。IGBT模塊光纖溫度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)能夠通過(guò)對(duì)IGBT模塊傳送的分析獲取IGBT模塊內(nèi)發(fā)熱元件的溫度實(shí)時(shí)變化，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的溫度監(jiān)控。